DEME TFSI——下一代電子存儲器的節(jié)能潛力
2018-05-27 12:04:15
adman
1983
我公司專門提供DEME TFSI
產(chǎn)品信息見鏈接：http://m.ilschem.cn/mains/showproduct.php?lang=cn&id=44#ad-image-1
科學(xué)家們在《自然》雜志上發(fā)表DEME-TFSI重要應(yīng)用，發(fā)現(xiàn)通過注入或摻雜電子來可逆改變二維材料的原子結(jié)構(gòu)的方法。這個過程比目前的方法使用的能量要少得多，以改變材料結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。
“我們第一次表明，有可能通過注入電子來驅(qū)動材料中的結(jié)構(gòu)相變，”研究的主要研究者向張、伯克利實驗室材料科學(xué)系的高級教員、加州大學(xué)伯克利分校的教授說。通過在物質(zhì)中加入電子，總能量上升并使平衡失去平衡，從而使原子結(jié)構(gòu)重新排列成一種更穩(wěn)定的新模式。這種電子摻雜驅(qū)動的二維極限結(jié)構(gòu)相變不僅在基礎(chǔ)物理中很重要，而且在下一代超薄器件中也為新的電子存儲器和低功率開關(guān)打開了大門。
了解DEME TFSI產(chǎn)品信息：
http://m.ilschem.cn/mains/showproduct.php?lang=cn&id=44#ad-image-0
致力于離子液體(ILs)研發(fā)生產(chǎn)、應(yīng)用推廣和全球銷售，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)生產(chǎn)技術(shù)，產(chǎn)品質(zhì)量和一致性因此得到保障，Tel：021-38228895
標(biāo)簽: N,N-Diethyl-2-methoxy-N-methylethanaminium bis[(trifluoromethyl)sulfonyl]azanide DEME TFSI DEME
